中文摘要: 光纤电场传感器具有很大的应用潜力，但是其温度稳定性难以解决。论文针对光纤电场传感器存在温度稳定难以解决的技术瓶颈，提出一种调节传感器结构参数便可以消除温度敏感性的三光束干涉(TBI)电场传感器。论文从微纳光纤之间的耦合方程出发，详细论述了温度对TBI电场传感器的影响机制，讨论了TBI电场传感器的结构参数对传感器温度稳定性的影响规律，给出了具有良好温度稳定性的传感器最优结构设计方法。理论上，该电场传感器的温度稳定性可降低至在0 pm/℃。温度实验测试结果表明，通过微调工艺可以将传感器的温度稳定性控制在2.6pm/℃左右。论文研究工作对提升全光纤电场传感器的技术水平，推广其在工程中的实际应用具有重要意义。