| 摘要:利用& ? ( ) ? 工艺可制备得到锐钦矿型+, ? ? 薄膜, 在其上溅射金属. 并控制
工艺流程的温度, . / +, ? 0 间将形成良好的金半整流接触
该. / +, ? ? 肖特基二极管在常温
下表现出良好的气敏特性, 响应时间短, 对稳定环境中低分压气体浓度的变化反应灵敏
同
时, 该. / + ,? 0 肖特基二极管还对约! 1 ? 一?2 ? 3 4 的紫外光敏感
本文研究了. / +5 6 ? 肖特
基二极管气敏和光敏特性, 分析了敏感机理 |
| 关键词: 肖特基二极管 MOCVD TiO2伏安特性 |
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