| 摘要:本文提出了一种硅一! & ? 型三维磁场敏感器结构, 它是将讨( ) 分量歌惑的一维
横向? ! & ? ?+ ? ! & ? % 与对( 二和( , 分量教感的两维的纵向? ! & ?? , ? ! & ?% 并合集成在
一起? 该磁场敏感器的最小空间分辫率为) ??. 户/ 0 ??1 件/ 0 2
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当外加磁感应强度低于&
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6 5 时该器件非线性误差低于7 0 ?? .8 ’ ? 由于本器
件采用了特珠的相容性制造工艺, 可易于得到与磁敏器件接口的电路优化设计 |
| 关键词: 磁场敏感器 磁敏晶体管 双扩散MOS器件 |
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