中文摘要: 基于三维仿真，提出了一种基于SOI BCD工艺的高灵敏度纵向集成型霍尔器件，通过增加浅P阱隔离结构和深槽插指结构（DTFs）优化电流路径分布，抑制短路效应并提高纵向电流比例，从而提高器件的灵敏度。测试结果表明：新结构的灵敏度为464 V/AT，相比传统结构提升了102%，器件初始失调电压为0.64 mV，输入电阻为14 kΩ，在298 K~398 K温度范围内，电阻的一阶温漂为8500×10??/K，表现出良好的稳定性。该器件的制备工艺与现有SOI BCD工艺兼容，可以实现全集成、高精度磁场检测芯片的制备。