###
:2021,34(11):1421-1426
←前一篇   |   后一篇→
本文二维码信息
码上扫一扫!
一种应用于MEMS频率基准的CMOS温度传感器
(天津大学微电子学院)
摘要
图/表
参考文献
相似文献
本文已被:浏览 1297次   下载 932
    
中文摘要: 本文提出了一种应用于MEMS频率基准温度补偿的CMOS温度传感器。该温度传感器基于文氏电桥(Wien-Bridge, WB)带通滤波器。当使用频率为带通滤波器截止频率的互补方波信号驱动电桥时,其输出电流会产生与温度相关的相位偏移。该相位偏移可以通过相位域delta-sigma调制器数字化。输出比特流的平均值表示温度信息。该芯片使用标准0.18-μm CMOS工艺设计。所设计温度传感器在1.8 V电源电压下消耗电流为150 μA,其中文氏电桥占10 μA。在-40 ℃ ~ 85 ℃的民用电子产品温度范围内,实现了0.001 ℃的分辨率和±0.5 ℃的精度。该模拟测温前端工作原理同样适用于分立式温度传感器。
Abstract:
keywords:
文章编号:cg210361     中图分类号:TN432;TN492    文献标志码:
基金项目:国家自然科学基金项目(61774035);江苏省自然科学基金项目(BK20191260)
Author NameAffiliationE-mail
  kpwang@tju.edu.cn 
引用文本:


用微信扫一扫

用微信扫一扫