中文摘要: 采用MEMS工艺在硅衬底上制备了铂电阻薄膜温度传感器，在500℃、600℃、700℃和800℃四个温度点下对铂电阻样品进行了热处理，对样品在退火前后的电阻值进行了测试和对比分析，对800℃的退火样品的阻温特性进行了多次测量，其在零摄氏度的电阻温度系数可达3150×10-6/K。另外还对退火后的铂电阻样品阻温特性进行了多次升温降温测试，其升温曲线和降温曲线基本重合，表明退火处理可以明显的改善铂薄膜温度传感器的稳定性和重复性。